IGBT STGF30M65DF2

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Descrição

IGBT STGF30M65DF2 | ST – 650V / 60A com Diodo Antiparalelo | Alta Eficiência para Inversores e Fontes Industriais

O STGF30M65DF2 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) da STMicroelectronics, desenvolvido para aplicações de comutação rápida em alta tensão, como inversores, fontes chaveadas, motores industriais e equipamentos de solda.

Com tensão de bloqueio de até 650V, corrente de até 60A e um diodo antiparalelo ultrarrápido integrado, esse modelo oferece excelente eficiência energética e robustez térmica, mesmo em ambientes industriais exigentes.

📌 Características Técnicas
Modelo: STGF30M65DF2

Tipo: IGBT com diodo antiparalelo integrado

Tensão máxima (Vces): 650V

Corrente contínua (Ic): 60A

Rth(j-c): 0.9 °C/W

Tempo de comutação rápido (tfall: 53ns típico)

Encapsulamento: TO-247

Marca: STMicroelectronics

Cod. Interno: 15840

Estoque: disponível

Vantagens
✔️ Alta capacidade de corrente e tensão para aplicações industriais

✔️ Baixas perdas de condução e comutação

✔️ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado

✔️ Ideal para inversores, motores e fontes de potência

✔️ Encapsulamento TO-247 para fácil dissipação térmica

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