O IRFS7530TRLPBF é um MOSFET canal N de alta corrente e baixa resistência RDS(on), desenvolvido pela Infineon Technologies. Projetado para aplicações de potência, ele oferece excelente desempenho em fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e sistemas automotivos.
Com sua baixa resistência de condução (RDS(on)) de apenas 2,1 mΩ, o IRFS7530TRLPBF garante alta eficiência e mínima dissipação de calor, suportando até 195A de corrente contínua e 100V de tensão de dreno-fonte.
Seu encapsulamento TO-263AB (D2PAK) facilita a montagem em placas SMD, oferecendo excelente dissipação térmica e robustez.
Principais Características:
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Fabricante: Infineon Technologies
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Modelo: IRFS7530TRLPBF
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Tipo: MOSFET canal N de potência
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Tensão máxima (Vds): 100V
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Corrente máxima (Id): 195A
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RDS(on): 2,1 mΩ
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Encapsulamento: TO-263AB (D2PAK)
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Tecnologia: HEXFET Power MOSFET
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Aplicações: Fontes chaveadas, controle de motores, inversores, sistemas automotivos e industriais
Vantagens do IRFS7530TRLPBF:
✔️ Alta eficiência com baixas perdas de condução
✔️ Suporte a correntes elevadas (até 195A)
✔️ Ideal para aplicações de potência e controle
✔️ Encapsulamento TO-263AB que melhora dissipação térmica
✔️ Produto original da Infineon
